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J-GLOBAL ID：201502218459541999   整理番号：15A0793680

静電噴霧堆積により一貫して作製された単結晶活性層とトップゲート絶縁膜に基づく有機電界効果トランジスタ

Organic field-effect transistors based on single-crystalline active layer and top-gate insulator consistently fabricated by electrostatic spray deposition

著者 (3件)： ONOJIMA Norio (Interdisciplinary Graduate School of Medicine and Engineering, Univ. of Yamanashi, Kofu 400-8511, JPN) ,  TAKAHASHI Shun (Interdisciplinary Graduate School of Medicine and Engineering, Univ. of Yamanashi, Kofu 400-8511, JPN) ,  SAITO Hiroki (Interdisciplinary Graduate School of Medicine and Engineering, Univ. of Yamanashi, Kofu 400-8511, JPN)
資料名： Organic Electronics  (Organic Electronics)
巻： 24  ページ： 165-169  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： W1352A  ISSN： 1566-1199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 静電噴霧堆積(ESD)法を応用して,トップゲート型単結晶有機電界効果トランジスタ(OFET)を作製する為に,6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン(TIPSペンタセン)の結晶性ドメイン及びポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)絶縁膜の双方を調製した。トップゲート素子の電気的特性は,同じ活性層を有するボトムゲート型のもの(SiO₂ボトムゲート絶縁膜)と比較し,またトップゲート絶縁膜と単結晶活性層の間の界面での低い電荷トラップ密度を実証した。しかしながら,トップゲート素子の出力特性におけるドレイン電流の圧縮が,ソース/ドレイン電極と蓄積チャネルの間の大きな寄生抵抗に起因して発生した。単結晶活性層の厚さを減らすことで,0.29cm²/V s(5μmのチャネル長)の高い電荷キャリア移動度が得られた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  素子構造 ,  *活性層 ,  単結晶 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  *絶縁膜 ,  電気抵抗 ,  キャリア移動度 ,  *噴霧法 ,  密度 ,  キャリア捕獲
準シソーラス用語： PMMA ,  トップゲート構造 ,  トラップ密度 ,  寄生抵抗 ,  静電噴霧法 ,  *有機電界効果トランジスタ

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  芳香族化合物の結晶構造  (BK08020F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  その他への塗装,各種塗装法  (YJ04040T)

物質索引 (1件)： 6,13-ビス(トリイソプロピルシリルエチニル)ペンタセン

タイトルに関連する用語 (8件)： 静電噴霧 ,  堆積 ,  作製 ,  単結晶 ,  活性層 ,  トップ ,  ゲート絶縁膜 ,  有機電界効果トランジスタ