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J-GLOBAL ID：201502218774837316   整理番号：15A0985828

NaとOとAlN結晶共ドープの第一原理研究【Powered by NICT】

First-Principles Study of AlN Crystal Codoped with Na and O

著者 (4件)： Xu Baisheng (Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, Coll. of ...) ,  Yan Zheng (Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, Coll. of ...) ,  Wu Honglei (Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, Coll. of ...) ,  Zheng Ruisheng (Key Lab. of Optoelectronic Devices and Systems of Ministry of Education and Guangdong Province, Coll. of ...)
資料名： Guisuanyan Xuebao  (Guisuanyan Xuebao)
巻： 43  号： 1  ページ： 65-69  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1454A  ISSN： 0454-5648  CODEN： KSYHA5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 結晶構造,状態密度およびウルツ鉱型NaをドープしたAlNとNa:Oを共ドープしたAlNのバンド構造を密度汎関数理論に基づく第一原理フルポテンシャル線形増強平面波法により調べた。計算された結果は,Naドープ及びNa:Oを共ドープしたAlNは両材料はp型伝導特性をもつ直接バンドギャップ半導体であり,それらの格子構造は固有のAlNと比較して拡大し,Na:Oを共ドープしたAlNは,NaをドープしたAlNよりも小さい格子定数を持つことを明らかにした。Naを添加したAlNの価電子帯の上部近傍の状態密度は強い局在特徴,正孔濃度の改善を有利に働かないを示した。NaをドープしたAlNと比較して,Na:Oを共ドープしたAlNの価電子帯の上部近傍の状態密度は減少し,アクセプタ準位は浅くなり,これはp型AlNの達成に有利に働いた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 状態密度 ,  格子構造 ,  結晶 ,  密度汎関数法 ,  結晶構造 ,  価電子バンド ,  バンド構造 ,  *第一原理 ,  半導体 ,  格子定数 ,  *ドーピング
準シソーラス用語： アクセプタ準位 ,  正孔濃度 ,  FPLAPW法 ,  ウルツ鉱 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  化学一般その他  (CA01060X) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： Na ,  AlN ,  結晶 ,  ドープ ,  第一原理 ,  研究