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J-GLOBAL ID：201502218775498205   整理番号：15A1405243

ErAs:GaAs複合系におけるキャリア動力学へのナノスケール埋込みSchottky障壁の効果

Effects of nanoscale embedded Schottky barriers on carrier dynamics in ErAs:GaAs composite systems

著者 (5件)： GILBERT CORDER S. N. (Vanderbilt Univ., Tennessee, USA) ,  KAWASAKI J. K. (Univ. California Santa Barbara, California, USA) ,  PALMSTROM C. J. (Univ. California Santa Barbara, California, USA) ,  KRZYZANOWSKA H. T. (Vanderbilt Univ., Tennessee, USA) ,  TOLK N. H. (Vanderbilt Univ., Tennessee, USA)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 92  号： 13  ページ： 134303.1-134303.6  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  ヒ化物 ,  *エルビウム化合物 ,  *Schottky障壁 ,  *ナノ粒子 ,  埋込み【挿入】 ,  不純物準位 ,  バンドギャップ ,  キャリア捕獲 ,  キャリア生成 ,  半導体金属接合 ,  キャリア密度 ,  動力学 ,  半金属 ,  反射率
準シソーラス用語： *キャリア動力学 ,  ヒ化エルビウム ,  光反射率

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： ERAS ,  GaAs ,  複合系 ,  キャリア動力学 ,  ナノスケール ,  埋込み ,  Schottky障壁