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J-GLOBAL ID：201502218879201395   整理番号：15A0842212

30K,3Tで2.2μm厚の大量ドープ(Gd,Y)Ba₂Cu₃O_x超伝導テープにおける15MA・cm^-2を超える臨界電流密度

Critical current density above 15 MA cm^-2 at 30 K, 3 T in 2.2 μm thick heavily-doped (Gd,Y)Ba₂Cu₃O_x superconductor tapes

著者 (5件)： SELVAMANICKAM V (Univ. Houston, TX, USA) ,  GHARAHCHESHMEH M Heydari (Univ. Houston, TX, USA) ,  XU A (Univ. Houston, TX, USA) ,  ZHANG Y (Univ. Houston, TX, USA) ,  GALSTYAN E (Univ. Houston, TX, USA)
資料名： Superconductor Science and Technology  (Superconductor Science and Technology)
巻： 28  号： 7  ページ： 072002,1-5  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： T0607A  ISSN： 0953-2048  CODEN： SUSTEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ジルコニウム酸化物を添加したREBCO超伝導テープを使って,低磁場,77Kの温度で,高い臨界電流密度を実現できることがいくつかの研究グループにより報告されている。これらの試料は,用いた作製法の性能の限界が原因で,いずれも10mol%以下のドーパントしか含んでいない。高濃度ドーパント試料では,臨界電流密度が抑制されるとの報告もあるが,著者らは,最近,MOCVD法により作製したBaZrO₃を大量ドープ(20%)した(Gd,Y)Ba₂Cu₃O_x超伝導テープにおいて,強磁場中で優れた臨界電流性能を達成できることを明らかにした。2.2μm幅のテープで,30K,3Tの磁場中で,15MA・cm^-2を実現した。この値は,標準的なZr添加REBCOで知られている電流密度の約4倍の大きさである。この高い臨界電流密度の原因は,膜全体にわたりBaZrO₃ナノカラムがc軸に沿って整列していることを明らかにした。

シソーラス用語： 酸化ジルコニウム ,  *バリウム化合物 ,  *希土類元素化合物 ,  *金属酸化物 ,  *銅化合物 ,  テープ ,  *臨界電流密度 ,  MOCVD ,  導体 ,  ピン止め ,  超伝導薄膜 ,  *ドーピング ,  超伝導テープ ,  被覆導体 ,  *希土類バリウム銅酸化物
準シソーラス用語： *REBCO ,  ジルコニウム酸化物

分類 (1件)： 超伝導材料  (BM04041W)

タイトルに関連する用語 (5件)： 厚 ,  ドープ ,  Gd ,  超伝導テープ ,  臨界電流密度