文献

J-GLOBAL ID：201502219508288273   整理番号：15A1363933

半極性(1122)配向InGaN系発光ダイオードにおけるインジウム取り込み能力

Indium-incorporation efficiency in semipolar (1122) oriented InGaN-based light emitting diodes

著者 (13件)： MONAVARIAN Morteza (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  METZNER Sebastian (Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU) ,  IZYUMSKAYA Natalia (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  ZHANG Fan (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  OKUR Serdal (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  CAN Nun (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  CAN Nun (Balikesir Univ., Balikesir, TUR) ,  DAS Saikat (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  AVRUTIN Vitaliy (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  OEZGUER UEmit (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA) ,  BERTRAM Frank (Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU) ,  CHRISTEN Juergen (Otto-von-Guericke Univ. Magdeburg, Magdeburg, DEU) ,  MORKOC Hadis (Virginia Commonwealth Univ., VA, USA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9363  ページ： 93632P.1-93632P.6  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,平面のm面サファイア基板上に有機金属化学蒸着により成長した半極性(1122)GaNにおけるインジウム取り込みについて調査した。半極性材料中のインジウム含有量を,同じ条件で同時に同じホルダ上に並んで成長した極性c面試料中のそれと比較した。インジウム取り込み能力を,最高の励起密度で半極性および極性構造に関して測定したPLスペクトルの比較から抽出した。それは,発光波長に及ぼす量子閉じ込めスターク効果の効果を最小にした。筆者らのデータは,c-GaN中15%Inから(1122)GaN中18%Inへと3.0%まで増加した半極性材料中のインジウム含有量を示唆した。

シソーラス用語： *極性 ,  *窒化ガリウム ,  *インジウム ,  取込 ,  *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  光ルミネセンス ,  *発光ダイオード ,  量子閉込め ,  Stark効果 ,  *ヘテロ接合 ,  効率 ,  基板 ,  *MOCVD ,  含有量 ,  品質 ,  エピタクシー ,  横方向 ,  結晶方位 ,  発光スペクトル
準シソーラス用語： *半極性 ,  *InGaN ,  高効率 ,  サファイア基板 ,  光学品質 ,  ELO ,  過成長

分類 (2件)： 発光素子  (NC03082G) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 半極性 ,  配向 ,  InGaN ,  発光ダイオード ,  インジウム ,  取り込み ,  能力