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J-GLOBAL ID：201502219651786704   整理番号：15A0698184

電界放出特性を改良するための正/負バイアスを使用した核形成増加と成長プロセスによるナノ結晶ダイヤモンド薄膜の構造改質

Structural modification of nanocrystalline diamond films via positive/negative bias enhanced nucleation and growth processes for improving their electron field emission properties

著者 (7件)： SARAVANAN A. (Graduate Inst. of Electro-Optical Engineering and Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and ...) ,  HUANG B. R. (Graduate Inst. of Electro-Optical Engineering and Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and ...) ,  SANKARAN K. J. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  KEISER G. (Graduate Inst. of Electro-Optical Engineering and Dep. of Electronic Engineering, National Taiwan Univ. of Sci. and ...) ,  KURIAN J. (Dep. of Physics, Tamkang Univ., Tamsui 251, Taiwan) ,  TAI N. H. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, National Tsing Hua Univ., Hsinchu 300, Taiwan) ,  LIN I. N. (Dep. of Physics, Tamkang Univ., Tamsui 251, Taiwan)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 117  号： 21  ページ： 215307-215307-11  発行年： 2015年06月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *電界放出 ,  *電圧 ,  *バイアス ,  *核形成 ,  *薄膜成長 ,  半導体薄膜 ,  改良 ,  結晶粒 ,  グラファイト ,  結晶粒界 ,  透過型電子顕微鏡 ,  発光分析 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子エネルギー損失分光法 ,  Raman分光分析 ,  電流電圧特性 ,  *ダイヤモンド ,  ナノ結晶
準シソーラス用語： ナノグラファイト ,  *ナノ結晶ダイヤモンド膜 ,  構造改良 ,  正電圧 ,  負電圧

分類 (2件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 電界放出 ,  バイアス ,  核形成 ,  成長 ,  プロセス ,  ナノ結晶 ,  ダイヤモンド薄膜 ,  改質