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J-GLOBAL ID：201502219691937668   整理番号：15A1237886

低暗電流のInGaAs MSM光検出器【Powered by NICT】

InGaAs-MSM Photodetector with Low Dark Current

著者 (7件)： Yan Xin (State Key Lab. of Transient Optics and Technol., Xi’an Inst. of Optics and Precision Mechanics of CAS, Xi’an) ,  Wang Tao (State Key Lab. of Transient Optics and Technol., Xi’an Inst. of Optics and Precision Mechanics of CAS, Xi’an) ,  Yin Fei (State Key Lab. of Transient Optics and Technol., Xi’an Inst. of Optics and Precision Mechanics of CAS, Xi’an) ,  Ni Haiqiao (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Niu Zhichuan (Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing) ,  Xin Liwei (State Key Lab. of Transient Optics and Technol., Xi’an Inst. of Optics and Precision Mechanics of CAS, Xi’an) ,  Tian Jinshou (State Key Lab. of Transient Optics and Technol., Xi’an Inst. of Optics and Precision Mechanics of CAS, Xi’an)
資料名： Guangzi Xuebao  (Guangzi Xuebao)
巻： 44  号： 6  ページ： 0604002-1-0604002-5  発行年： 2015年 
JST資料番号： W1500A  ISSN： 1004-4213  CODEN： GUXUED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： MSM(精神半導体精神)光検出器は,その低容量と高帯域幅のための広く用いられている。例えば,宇宙通信,リモートセンスなどに用いることができる。しかし,MSMデバイスの開発はまだ暗電流によって妨げられている。本論文では,100×100μm~2InGaAs MSM光検出器の作製に成功した。暗電流密度はInAlGaAs/InGaAs短周期超格子とInAlAs Schottky障壁増強を設計することにより0.6pA/μm~2(5 V)に還元され,これはSNRを改善した。デバイスのパラメータは次のように特性化した:3dB帯域幅は6.8GHzであり,立ち上がり時間は58.8psであり,責任は1550nmで0.55A/Wであり,吸収領域の外部量子効率は88%であった。短周期超格子とSchottky障壁増強の阻害機構を解析した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *光検出器 ,  Schottky障壁 ,  キャラクタリゼーション ,  半導体 ,  超格子 ,  *暗電流 ,  帯域幅 ,  *ヒ化ガリウムインジウム
準シソーラス用語： 外部量子効率 ,  立上り時間 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 暗電流 ,  InGaAs ,  MSM ,  光検出器