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J-GLOBAL ID:201502219763804374   整理番号:15A1151074

パルスレーザ堆積AlドープZnO薄膜の特性に及ぼすビームエネルギーの影響

Influence of Beam Energy on the Properties of Pulsed Laser Deposited Al-Doped ZnO Thin Films
著者 (3件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 922-930  発行年: 2015年09月 
JST資料番号: W1355A  ISSN: 1536-125X  CODEN: ITNECU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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AlドープZnO薄膜を,400°C,周囲酸素雰囲気において,レーザビームエネルギーを変えて,パルスレーザ堆積によりガラス基板上に堆積した。Al:ZnO膜は,結晶性で,(002)面配向,大きなテキスチャ係数をもっていた。結晶粒モルフォロジーは,高密度で均一,低表面粗さをもっていた。粒子のアスペクト比及び表面被覆は,ビームエネルギーとともに増大することが分かった。元素組成は,ビームエネルギーにより影響を受けた。高エネルギーにおける結晶粒の合体は,粒子の表面対体積比を変えた。量子サイズ効果は,バンドギャップを減少させた。
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分類 (1件):
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半導体薄膜 
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