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J-GLOBAL ID:201502219782624093   整理番号:15A1128033

p-GaAsホモ接合THz検出器の最適化と性能【Powered by NICT】

Optimization and performance of p-GaAs homojunction THz detectors
著者 (4件):
資料名:
巻: 34  号:ページ: 29-35  発行年: 2015年 
JST資料番号: C0174C  ISSN: 1001-9014  CODEN: HHXUEZ  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
抄録/ポイント:
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p-GaAsホモ接合のTHz検出器の量子効率を改善するために,温度とバイアス電圧の効果を考慮した。共鳴共振器増強p型GaAsのHIWIP検出器の材料と構造パラメータを最適化することにより,その量子効率は17%に増加した。検出器,バイアス電圧,温度およびスペクトル周波数の応答性と検出能の間の関係をシミュレートし,最適化されたバイアス電圧範囲(10~40mV),至適温度(< 8K)と最大検出感度(4.1×10~(10)cm Hz~(1/2)/W)をもたらした。対整合ミラーを適用することにより,最大量子効率,検出感度と応答性はそれぞれ26%,5.7×10~(10)cm Hz~(1/2)/Wと25.9A/Wであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器 
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