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J-GLOBAL ID：201502219857227559   整理番号：15A1400209

対数性の有機光検出器

Logarithmic organic photodetectors

著者 (9件)： ELGAZZAR Elsayed (Dep. of Physics, Fac. of Sci., Suez Canal Univ., Ismailia, Egypt) ,  OZDEMIR Mehmet (Dep. of Materials Sci. and Nanotechnology Engineering, Abdullah Guel Univ., Kayseri, TUR) ,  USTA Hakan (Dep. of Materials Sci. and Nanotechnology Engineering, Abdullah Guel Univ., Kayseri, TUR) ,  AL-GHAMDI Ahmed A. (Physics Dep., Fac. of Sci., King Abdulaziz Univ., Jeddah, Saudi Arabia) ,  DERE A. (Dep. of Physics, Fac. of Sci., Firat Univ., Elazig, TUR) ,  EL-TANTAWY Farid (Dep. of Physics, Fac. of Sci., Suez Canal Univ., Ismailia, Egypt) ,  YAKUPHANOGLU F. (Physics Dep., Fac. of Sci., King Abdulaziz Univ., Jeddah, Saudi Arabia) ,  YAKUPHANOGLU F. (Dep. of Physics, Fac. of Sci., Firat Univ., Elazig, TUR) ,  YAKUPHANOGLU F. (Nanoscience and Nanotechnology Lab., Firat Univ., Elazig, TUR)
資料名： Synthetic Metals  (Synthetic Metals)
巻： 210  号： PB  ページ： 288-296  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： C0123B  ISSN： 0379-6779  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の量のグラフェン酸化物(GO)を含む新しいAl/GO:C8-BTBT/n-Si/Au光検出器を評価した。ダイオードの電気特性を電流-電圧(I-V)及び静電容量-電圧(C-V)測定により特性解析した。Nordeの式を用いてダイオードの障壁高さ,理想係数,及び直列抵抗値をI-V特性曲線から求めた。ダイオードの光電流特性を種々の照度で調べた。ダイオードの光伝導機構はトラップにより制御され,光応答性はGO含量と共に増加した。得られた結果から,酸化グラフェンをドープした2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン/n-Siヘテロ接合はオプトエレクトロニック用途での光検出器として利用できる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *光検出器 ,  グラフェン ,  酸化物 ,  電流電圧特性 ,  静電容量 ,  有機半導体 ,  *フォトダイオード ,  芳香族縮合化合物 ,  硫黄複素環化合物 ,  対数関数 ,  化学合成 ,  ナノ複合材料 ,  容量
準シソーラス用語： グラフェン酸化物 ,  ベンゾチオフェン類 ,  充填量

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  チオフェンの縮合誘導体  (CF07075U)

物質索引 (1件)： 2,7-ジオクチル[1]ベンゾチエノ[3,2-b][1]ベンゾチオフェン

タイトルに関連する用語 (2件)： 対数 ,  光検出器