文献

J-GLOBAL ID：201502219915914197   整理番号：15A1086183

金シード三元InGaAsナノワイヤの成長と組成の発展の理解

Understanding the growth and composition evolution of gold-seeded ternary InGaAs nanowires

著者 (5件)： AMERUDDIN A. S. (Dep. of Electronic Materials Engineering, Res. School of Physics and Engineering, The Australian National Univ. ...) ,  CAROFF P. ,  TAN H. H. ,  JAGADISH C. ,  DUBROVSKII V. G.
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 39  ページ： 16266-16272  発行年： 2015年10月21日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAsナノワイヤは可変組成の三元化合物半導体の基礎研究にとって極めて大きな見通しを与え,バンドギャップ調整可能性と高いキャリア移動度により広範囲の応用への道を開く。本論文では,有機金属気相エピタクシー(MOVPE)によるAuシードInGaAsナノワイヤの成長に関する報告を行い,三元III-Vナノワイヤの成長と組成の発展を支配する機構を説明するモデルを示した。モデルによって,蒸着条件により課される二種類のIII族種の成長速度と取込みへの制約及び材料輸送と核形成のいくつかの固有の性質のさらなる理解が可能になる。モデルの範囲で,InGaAsナノワイヤの粒径,温度,V/III比に伴う組成と成長速度の発展を述べ,実験の知見と非常に良い一致を見た。本研究で得た理解は様々な応用のための調整可能な三成分ナノワイヤの制御した製造に有用である。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *ナノワイヤ ,  *MOCVD ,  *結晶成長 ,  組成 ,  電子顕微鏡観察 ,  バンドギャップ ,  基礎研究 ,  数学モデル
準シソーラス用語： *三元半導体 ,  成長モデル ,  III-V族半導体

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 金 ,  InGaAs ,  ナノワイヤ ,  成長 ,  組成 ,  発展 ,  理解