文献

J-GLOBAL ID：201502219940410047   整理番号：15A1368812

オンチップ生成に向かって非古典的光の注入び検出

Towards on-chip generation, routing and detection of non-classical light

著者 (10件)： FLASSIG F. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  KANIBER M. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  REITHMAIER G. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  MUELLER K. (Stanford Univ., CA, USA) ,  ANDREJEW A. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  GROSS R. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  GROSS R. (Nanosystems Initiative Munich (NIM), MEunchen, DEU) ,  VUCKOVIC J. (Stanford Univ., CA, USA) ,  FINLEY J. J. (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  FINLEY J. J. (Nanosystems Initiative Munich (NIM), MEunchen, DEU)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 9373  ページ： 937305.1-937305.9  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ハイブリッド型超伝導-半導体構造に基づき,チップ上で量子エミッタ,畝状導波管及び検出器を持つ集積フォトニック回路を開発した。本研究では,畝状GaAs導波路埋め込み量子エミッタに自己集合InGaAs量子ドット(QDs)とNbN-ソース導電単一光子検出器(SSPDs)を持つ上記ハイブリッドシステムの製作を報告し,簡単な集積フォトニック回路を形成する。結果は,DC反応性マグネトロン散乱や電子ビーム等の技術の結合により畝状GaAs導波路上に高品質SSPDsが製作された事を示す。筆者等は,色々な技術の採用で検出器の散乱レーザ光を抑制出来た。これらの測定から,集積SSPDsによりチップ上でのQD遷移の共振励起と共振蛍光信号の検出が可能であった。ここで遷移線幅は20±3μeVを示した。

シソーラス用語： *集積光学 ,  *超伝導 ,  *半導体 ,  *複合構造 ,  *光導波路 ,  *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *埋込み【挿入】 ,  *半導体レーザ ,  ヒ化ガリウムインジウム ,  ニオブ化合物 ,  窒化物 ,  ナノワイヤ ,  *光検出器 ,  電子ビーム蒸着 ,  *超伝導線
準シソーラス用語： 量子エミッタ ,  ひ化インジウムガリウム ,  窒化ニオブ ,  単一光子検出器 ,  ハイブリッド構造

分類 (1件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D)

タイトルに関連する用語 (2件)： オンチップ ,  注入