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J-GLOBAL ID：201502219952130864   整理番号：15A1063158

3ωモードおよび新規較正戦略の走査ホットプローブ法を用い高および低熱伝導性膜の熱伝導率の測定

Thermal conductivity measurements of high and low thermal conductivity films using a scanning hot probe method in the 3ω mode and novel calibration strategies

著者 (9件)： WILSON Adam A. (Dep. of Mechanical, Aerospace and Nuclear Engineering, Rensselaer Polytechnic Inst., 110 8th Street, Troy, NY 12180 ...) ,  MUNOZ ROJO Miguel ,  ABAD Begona ,  PEREZ Jaime Andres ,  MAIZ Jon ,  SCHOMACKER Jason ,  MARTIN-GONZALEZ Marisol ,  BORCA-TASCIUC Diana-Andra ,  BORCA-TASCIUC Theodorian
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 7  号： 37  ページ： 15404-15412  発行年： 2015年10月07日 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究は,3ωモードにおける走査ホットプローブ法を用いて,フィルムの熱伝導率(k)の測定について討論し,熱接触のパラメータ,具体的には異なる熱伝導率の参照サンプルを用いて,接触熱抵抗(R^th_c)と熱交換半径(b)のキャリブレーションを調査する。R^th_cとbは一定値(b=2.8±0.3μmおよびR^th_c=44927±7820KW^-1)が熱伝導率の値が0.36WK^-1m^-1から1.1WK^-1m^-1の範囲に対して見出されている。接触因子の校正のための独立した戦略を,以前に測定したゼーベック係数及び熱伝導率の参照試料を用いて,熱伝導率がこの範囲内のサンプルに対し,開発し検証している。その結果,0.36および1.1WK^-1m^-1の間の既知の熱伝導率の複数試料を用いて実施した校正と一致した。しかし,16.2WK^-1m^-1と53.7WK^-1m^-1の間の範囲の試料では校正実験は接触因子はかなり異なる値:R^th_c=40191±1532KW^-1とb=428±24nmを持つことを示した。最後に,この研究はこれらの校正手続きを用いて,それぞれ独立して測定して得られた,あるいは文献値の,測定値は1?20%(低いk),および,5-31%(高いk)以内として基板上の高い伝導性および熱的絶縁性両者の膜の測定が実施できた。熱伝導率の結果は,ガラス基板上のSiGe膜,ガラス基板上のTe膜,ガラス基板上の(鉄ナノ粒子ドープないし非ドープの)ポリマー膜およびシリコン基板上のAu膜に対して示された。Copyright 2015 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： *熱伝導率 ,  *計測 ,  膜 ,  *補正 ,  *接触熱抵抗 ,  *輸送係数 ,  基板 ,  テルル ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  固溶体 ,  半導体薄膜 ,  高分子膜
準シソーラス用語： 熱交換半径 ,  Seebeck係数 ,  ガラス基板

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 較正 ,  戦略 ,  走査 ,  プローブ ,  熱伝導性 ,  熱伝導率