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J-GLOBAL ID：201502220008593093   整理番号：15A0397148

直流/小信号特性評価及び射線小信号モデリング通した水素終端ダイヤモンドにおける平面Schottky接触の界面層の特性の研究

Investigating the properties of interfacial layers in planar Schottky contacts on hydrogen-terminated diamond through direct current/small-signal characterization and radial line small-signal modelling

著者 (6件)： CAPPELLUTI F. (Politecnico di Torino, DET, corso Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, ITA) ,  GHIONE G. (Politecnico di Torino, DET, corso Duca degli Abruzzi 24, 10129 Torino, ITA) ,  RUSSELL S. A. O. (School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, GBR) ,  MORAN D. A. J. (School of Engineering, Univ. of Glasgow, Glasgow G12 8LT, GBR) ,  VERONA C. (Universita di Roma Tor Vergata, EE Dept., Via del Politecnico 1, 00133 Roma, ITA) ,  LIMITI E. (Universita di Roma Tor Vergata, EE Dept., Via del Politecnico 1, 00133 Roma, ITA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 10  ページ： 103504-103504-5  発行年： 2015年03月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  *面積 ,  *ダイヤモンド ,  キャラクタリゼーション ,  *モデル ,  容量電圧特性 ,  *電気抵抗 ,  *接触 ,  *界面
準シソーラス用語： *Schottkyダイオード ,  *大面積 ,  水素終端 ,  特性評価 ,  *等価回路モデル ,  *Schottky接触

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (8件)： 直流 ,  特性評価 ,  信号モデリング ,  水素終端 ,  ダイヤモンド ,  Schottky接触 ,  界面層 ,  研究