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J-GLOBAL ID：201502220039479485   整理番号：15A0213118

a-Si:Hの放射欠陥における調製条件と再結合率

Preparation condition and recombination rates at radiative defects in a-Si:H

著者 (4件)： OGIHARA Chisato (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  SHINTOKU Yuta (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  YAMAGUCHI Kei (Yamaguchi Univ., Ube, JPN) ,  MORIGAKI Kazuo (Hiroshima Inst. of Technol., Hiroshima, JPN)
資料名： Canadian Journal of Physics  (Canadian Journal of Physics)
巻： 92  号： 7/8  ページ： 561-564  発行年： 2014年07月 
JST資料番号： B0229A  ISSN： 0008-4204  CODEN： CJPHAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： カナダ (CAN)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： 放射 ,  欠陥 ,  調製 ,  再結合