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J-GLOBAL ID：201502220075380062   整理番号：15A1215776

ミリ波電力源としてのSi/SiCベースDDヘテロ構造IMPATT:一般化された大信号解析【Powered by NICT】

Si/SiC-based DD hetero-structure IMPATTs as MM-wave power-source: a generalized large-signal analysis

著者 (3件)： Mukherjee Moumita (Centre for MM-wave Semiconductor Devices and Systems (CMSDS), DRDO, India, Kolkata) ,  Tripathy P R (Hi-Tech Coll. of Engineering, Bhubaneswar, India, Odisha) ,  Pati S P (Former Professor of Sambalpur Univ., India, Odisha)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 36  号： 6  ページ： 064005-01-064005-06  発行年： 2015年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一般ドーピングプロファイルを持つ二重ドリフトヘテロ構造IMPATTダイオードのフルスケール,自己無撞着,非線形,大信号モデルを導出した。,初めて,この新しく開発したモデルは六方晶SiC系二重ドリフトIMPATTダイオードの大信号特性を解析した。製造実現可能性を考慮して,著者らは,Si/SiCベースヘテロ構造デバイスの大信号特性を調べた。小電圧変調(~2%,すなわち小信号条件)下での結果は,線形化小信号モデルを用いて行った計算と良く一致した。ダイオードの負性コンダクタンス(5 × 10~6 S/m~2),サセプタンス(10.4 × 10~7 S/m~2),平均絶縁破壊電圧(207.6 V),発電効率(15%,RF出力94GHzで25.0W)の大信号値は固定した平均電流密度の振動振幅(DC破壊電圧の50%)の関数として得た。大信号計算は大信号(> 50%)電圧変調の出力的,効率的な飽和を示し,その後さらに電圧変調の増加とともに徐々に減少した。一般化大信号定式化は分散と狭いアバランシェ領域のすべての型IMPATT構造のに適用可能である。シミュレータはSiとSiCの空間電荷効果,現実的な電場及び温度依存材料パラメータを組み込むことにより,より現実的になった。電場スナップショットおよび電流励起をもつダイオードの大信号インピーダンスとアドミタンスは閉ループ形で表現した。本研究では,高出力ミリ波通信システムにおける可能な応用のための高出力Si/SiCベースIMPATTを作製する研究者のためのガイドとして作用するであろう。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 信号特性 ,  EHF波 ,  *インピーダンス ,  電圧 ,  ダイオード ,  電場 ,  信号変調 ,  ドリフト
準シソーラス用語： 高出力 ,  アドミタンス ,  *大信号 ,  絶縁破壊電圧 ,  小信号モデル ,  *ヘテロ構造 ,  電源 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ミリ波 ,  電力源 ,  Si ,  SiC ,  ヘテロ構造 ,  信号解析