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J-GLOBAL ID：201502220081399581   整理番号：15A0876948

誘電層上の円板の静電容量解析

Capacitance analysis of a circular disk on a dielectric layer

著者 (2件)： YANG Mimi X. (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, CA 94305-9505, USA) ,  YANG Fuqian (Materials Program, Dep. of Chemical and Materials Engineering, Univ. of Kentucky, Lexington, KY 40506, USA)
資料名： Journal of Electrostatics  (Journal of Electrostatics)
巻： 76  ページ： 48-53  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： W0917A  ISSN： 0304-3886  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Hankel変換を用いて,電場内の誘電層上の導電性円板の混合境界値問題を二重積分方程式の解に換算した。電気システムの静電容量の第2近似への解析方程式を,1より大きい円板半径に対する層厚の比率と1よりも小さい比率のそれぞれに関して導出した。両方の式は文献で報告されたものと一致した数値結果をもたらした。4より大きいあるいは等しい比率に対して,半無限誘電体上の円板の静電容量を使用することができる。その結果を用いて,誘電体基板上のエレクトロウェッティングに及ぼす影響を検討した。膜への印加電圧の上限が存在し,それを越えると接触角の飽和あるいは局所不安定性が起こる可能性がある。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *層 ,  *円板 ,  *静電容量 ,  Hankel変換 ,  導電性 ,  境界値問題 ,  積分方程式 ,  逐次近似 ,  界面電気現象 ,  接触角 ,  不安定性
準シソーラス用語： エレクトロウェッティング ,  *誘電層

分類 (4件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 誘電層 ,  円板 ,  静電容量 ,  解析