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J-GLOBAL ID：201502220173659873   整理番号：15A1037674

漸次化学溶液析出により合成したスズ(II)硫化物薄膜のキャラクタリゼーション

Characterization of tin (II) sulphide thin film synthesized by successive chemical solution deposition
著者 (2件)：
MUKHERJEE A.

MUKHERJEE A. について

(The Univ. of Burdwan, Dep. of Physics, Golapbag, 713 104, Burdwan, West Bengal, IND)

The Univ. of Burdwan, Dep. of Physics, Golapbag, 713 104, Burdwan, West Bengal, IND について

, 
MITRA P.

MITRA P. について

(The Univ. of Burdwan, Dep. of Physics, Golapbag, 713 104, Burdwan, West Bengal, IND)

The Univ. of Burdwan, Dep. of Physics, Golapbag, 713 104, Burdwan, West Bengal, IND について


資料名：
Indian Journal of Physics  (Indian Journal of Physics)

Indian Journal of Physics について


巻： 89  号： 10  ページ： 1007-1012  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： A1467A  ISSN： 0973-1458  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： インド (IND)  言語： 英語 (EN)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*スズ化合物

スズ化合物 について

, 
*硫化物

硫化物 について

, 
*溶液成長

溶液成長 について

, 
薄膜成長

薄膜成長 について

, 
バンドギャップ

バンドギャップ について

, 
半導体薄膜

半導体薄膜 について

, 
粒度

粒度 について

, 
キャラクタリゼーション

キャラクタリゼーション について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*化学溶液析出

化学溶液析出 について

, 
*硫化スズ

硫化スズ について


分類 (2件)：
分類
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半導体薄膜 
(BK14040E)

半導体薄膜 について

,  半導体の結晶成長 
(BK13040X)

半導体の結晶成長 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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化学溶液析出

化学溶液析出 について

, 
スズ

スズ について

, 
硫化物

硫化物 について

, 
薄膜

薄膜 について

, 
キャラクタリゼーション

キャラクタリゼーション について


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