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J-GLOBAL ID：201502220221525450   整理番号：15A1390529

多層遷移金属ジカルコゲニドPN接合からの明瞭な光電池応答

Pronounced Photovoltaic Response from Multilayered Transition-Metal Dichalcogenides PN-Junctions

著者 (12件)： MEMARAN Shahriar (Florida State Univ., Florida, USA) ,  PRADHAN Nihar R. (Florida State Univ., Florida, USA) ,  LU Zhengguang (Florida State Univ., Florida, USA) ,  RHODES Daniel (Florida State Univ., Florida, USA) ,  LUDWIG Jonathan (Florida State Univ., Florida, USA) ,  ZHOU Qiong (Florida State Univ., Florida, USA) ,  OGUNSOLU Omotola (Florida State Univ., Florida, USA) ,  AJAYAN Pulickel M. (Rice Univ., Texas, USA) ,  SMIRNOV Dmitry (Florida State Univ., Florida, USA) ,  FERNANDEZ-DOMINGUEZ Antonio I. (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  GARCIA-VIDAL Francisco J. (Universidad Autonoma de Madrid, Madrid, ESP) ,  BALICAS Luis (Florida State Univ., Florida, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 15  号： 11  ページ： 7532-7538  発行年： 2015年11月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二本のゲート電極(G1,G2)を設けたSiO₂/Si上に窒化ホウ素(hBN)膜,さらに~10原子層のMoSe₂剥離膜を移動・積層し,G1とG2間より広い間隔でMoSe₂膜上にドレイン/ソース(D/S)電極を配した多バックゲート型FETを作製した。G1とG2に正及び負電圧を加えて静電場により生成したPN接合の光電池応答を測定し,このPN接合が理想ダイオード様応答に加えてAM1.5の光照射下において充填因子~70%で14%を越える効率を与えることを見出した。この効率は遷移金属ジカルコゲニド(TMD)のバルクまたは剥離単層膜から得られた今までに収集され実験的に導かれた効率η≦1%と対照的であり,TMDの光電池応用に向けた大きな可能性を示唆する。

シソーラス用語： *光電池 ,  遷移金属化合物 ,  カルコゲン化物 ,  *硫化モリブデン ,  *多層膜 ,  電場効果 ,  PN接合 ,  FET【トランジスタ】 ,  エネルギー変換効率 ,  因子 ,  比率 ,  絶縁膜 ,  窒化ホウ素 ,  電力変換 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： ゲート誘電体 ,  電力変換効率 ,  *二硫化モリブデン ,  *高効率 ,  充填因子 ,  六方晶系窒化ホウ素

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多層 ,  遷移金属 ,  PN接合 ,  光電池 ,  応答