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J-GLOBAL ID：201502220226833136   整理番号：15A0455453

高温におけるCVCおよびCVD SiCとUO₂の化学反応性

Chemical reactivity of CVC and CVD SiC with UO₂ at high temperatures

著者 (4件)： SILVA Chinthaka M. (Materials Sci. and Technol. Div., Oak Ridge National Lab., Oak Ridge, TN 37831, USA) ,  KATOH Yutai (Materials Sci. and Technol. Div., Oak Ridge National Lab., Oak Ridge, TN 37831, USA) ,  VOIT Stewart L. (Fusion and Materials for Nuclear Systems Div., Oak Ridge National Lab., Oak Ridge, TN 37831, USA) ,  SNEAD Lance L. (Materials Sci. and Technol. Div., Oak Ridge National Lab., Oak Ridge, TN 37831, USA)
資料名： Journal of Nuclear Materials  (Journal of Nuclear Materials)
巻： 460  ページ： 52-59  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： D0148A  ISSN： 0022-3115  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二種類の蒸着法を用いて合成した二つのタイプのシリコンカーバイド(SiC)をUO₂ペレットに埋込み,UO₂との化学反応の可能性について調べた。1100および1300°Cの比較的低温度において化学蒸着複合化(CVC)SiCとUO₂間の軽微な反応性が認められたが,化学蒸着(CVD)SiCではこのような反応は全く見られなかった。しかし,CVDおよびCVC SiCの両方とも高温(1500°C)において何らかの反応を示した。電子後方散乱回折を用いて得られた相マップに支持される元素マップから,1500°CにおいてCVC SiCはCVD SiCより反応性が高いことがわかった。さらに,SiCのUO₂との反応の結果,UC,USi₂,およびU₃Si₂のようなウラニウムカーバイドおよびウラニウムシリサイドが形成されることが示唆された。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 高温 ,  *炭化ケイ素 ,  *化学蒸着 ,  *酸化ウラン ,  ペレット ,  *埋込み【挿入】 ,  *化学反応 ,  複合体 ,  電子回折 ,  ウラン化合物 ,  ケイ化物 ,  *固相反応
準シソーラス用語： 電子後方散乱回折

分類 (1件)： その他の無触媒反応  (CB06070U)

タイトルに関連する用語 (5件)： CVC ,  CVD ,  SiC ,  UO2 ,  化学反応性