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J-GLOBAL ID:201502220232776926   整理番号:15A0704241

光化学表面改質による半導体量子ドットの明滅現象の抑制および発光強度の増強

著者 (5件):
資料名:
巻: 95th  号:ページ: 445  発行年: 2015年03月11日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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私たちはCdSe/ZnS半導体量子ドット(QD)に対し電子供与性を示すDithiothreitol(DTT)を付加することにより明滅現象の抑制および発光強度の増強の研究を行った。光励起下においてDTTをQDに付加すると,QD溶液の発光強度は約4倍に増強した。単一QDに対する測定では発光強度の増強および光るQDの量の増加を観測した。DTTが光活性化したQDの表面欠陥を修復し,非輻射遷移確率を下げたことによって明滅現象の抑制および発光強度の増強を観測したということが分かった。私たちはこれらの結果をアンサンブルおよび単一QDsに対するBlinking測定,時間分解PL測定から考察した。(著者抄録)
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分類 (4件):
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塩  ,  半導体のルミネセンス  ,  半導体の格子欠陥  ,  脂肪族アルコール 
物質索引 (1件):
物質索引
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