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J-GLOBAL ID：201502220233504059   整理番号：15A0476309

LiドープMgZnO薄膜トランジスタの作製と電気的評価

Preparation and Electrical Characterization of Li-Doped MgZnO Thin-Film Transistors

著者 (5件)： GAO Song (Beijing Jiaotong Univ., CHN) ,  ZHOU Dong Zhan (Beijing Jiaotong Univ., CHN) ,  YI Li Xin (Beijing Jiaotong Univ., CHN) ,  ZHANG Xi Qing (Beijing Jiaotong Univ., CHN) ,  WANG Yong Sheng (Beijing Jiaotong Univ., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Display Technology  (Journal of Display Technology)
巻： 11  号： 1-3  ページ： 149-151  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： W1444A  ISSN： 1551-319X  CODEN： IJDTAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ボトムゲート型LiドープMgZnO薄膜トランジスタ(TFT)の作製および電気的評価を検討する。本論文において用いるLiドープMgZnO TFTは,SiO₂/Si基板上に形成される。6%の分子比のMg/Znおよび1%の分子比のLi/ZnのZnO-MgO-Li₂Oセラミックターゲットの使用による高周波マグネトロンスパッタリングを用いて,LiドープMgZnO薄膜を蒸着させる。蒸着過程は,99.999%の純度でO₂入力を伴わない30SCCMにおけるAr入力のみが付随する2×10^-2Paの動作圧力で行われた。すべての膜は,室温において100Wのスパッタリングパワーを用いて蒸着させた。そして活性膜を酸素大気において800°Cで30分間アニールした。アニーリングの後に,熱蒸着によってチャネル幅(W=1200μm)とチャネル長(L=200μm)でシャドーマスクによって100nm厚のAlソース/ドレイン電極を蒸着させた。最後に,ゲート接点を形成するようSi基板の背側にも100nm厚のAlを蒸着させた。LiドープMgZnO薄膜は,ZnO膜と比べ明確な吸収端の青方偏移を示さない。LiドープMgZnOTFTは,9.4cm²/V・sのμ_SAT,7VのV_TH,1.4×10⁷のI_ON/I_OFFを示した。高い移動度についての2つの考え得る理由は,アニーリングによる欠落状態の密度の有効な減少およびLiとLi_ZnおよびLi_i複合体ドナーである。

シソーラス用語： *リチウム ,  *ドーピング ,  マグネシウム化合物 ,  酸化亜鉛 ,  *半導体薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  比率 ,  ゲート【半導体】 ,  RFスパッタリング ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *室温 ,  基板 ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  スペクトル ,  *電流電圧特性 ,  状態密度 ,  格子欠陥
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  ボトムゲート ,  透過スペクトル ,  欠陥状態【格子】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Li ,  ドープ ,  トランジスタ ,  作製 ,  評価