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J-GLOBAL ID:201502220261378816   整理番号:15A0589733

AlドープZnO層のオプトエレクトロニクス特性を増強する組織化した種層上の誘導するナノAg粒子

Leading nano-Ag particles on the textured seed layer to enhance the optoelectronic properties of Al-doped ZnO layers
著者 (2件):
資料名:
巻: 116  ページ: 139-143  発行年: 2015年06月 
JST資料番号: E0347A  ISSN: 0042-207X  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,AZOの組織化した表面を種層として処理し,これから表面上にナノAg粒子を一様に堆積した。最後に,AZO(20nm)/ナノAg/AZO(20nm)超薄膜を透明な導電性薄膜として成長させた。結果は,AZO種層を500°Cでアニールし,次に表面を0.1%硝酸(HNO3)を使って150秒エッチすると,AZO種層の組織化した表面上に純粋なAgナノ粒子のより一様な分布が生じることを示す。薄膜の抵抗は4.21 × 10-5Ω-cmと低く,可視領域の平均透過率は88.7%まで上昇した。薄膜の最良の性能指数は2.84×10-2Ω-1である。これはAZOが透明導電性薄膜に使うのに適していることを意味する。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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