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J-GLOBAL ID：201502220374226282   整理番号：15A0905872

Mottメモリと神経形態学的(ニューロモルフィック)デバイス

Mott Memory and Neuromophic Devices

著者 (2件)： ZHOU You (Harvard Univ., MA, USA) ,  RAMANATHAN Shriram (Harvard Univ., MA, USA)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 103  号： 8  ページ： 1289-1310  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 構造的および物理的相転移の中で発生する電子の相関は,エレクトロニクス向けのユーティリティに関するナノスケール互換のメカニズムを提供する。ここでは,メモリや神経形態学的(ニューロモルフィック)デバイスに向けたMott金属-絶縁体転移を検討した。特に,非揮発性,検出スキーム,リード/ライト速度およびスイッチングエネルギーなどの側面からMottメモリの一般的特徴を述べる中で,電子-フォノン結合と電子-電子相互駆動型転移のメカニズムや動力学の包括的扱いを強調した。

シソーラス用語： *Mott転移 ,  *記憶装置 ,  記憶構造 ,  相転移 ,  金属-絶縁体転移 ,  酸化物 ,  金属酸化物 ,  不揮発性メモリ
準シソーラス用語： Mottメモリ ,  メモリ ,  メモリアーキテクチャ ,  神経形態学 ,  不揮発性記憶 ,  複合酸化物

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (1件)： 神経形態学