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J-GLOBAL ID：201502220411531600   整理番号：15A0971715

中性子照射タングステン中の水素同位体滞留挙動に及ぼす照射損傷分布影響

著者 (9件)： 藤田啓恵 (静岡大 大学院) ,  湯山健太 (静岡大 大学院) ,  植村有希 (静岡大 大学院) ,  桜田翔大 (静岡大 大学院) ,  HU Cui (静大 理) ,  近田拓未 (静大 理) ,  大矢恭久 (静大 理) ,  太田雅之 (JAEA) ,  落合謙太郎 (JAEA)
資料名： 日本原子力学会秋の大会予稿集(CD-ROM)
巻： 2015  ページ： ROMBUNNO.N03  発行年： 2015年08月21日 
JST資料番号： S0818B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： タングステン(W)中の中性子照射欠陥形成の初期過程を理解するため,低照射損傷量の中性子照射W中の水素同位体滞留挙動を評価した。核分裂反応と核融合反応による中性子照射では異なる重水素捕捉サイトが導入され,中性子の照射エネルギー分布はタングステン中の重水素滞留挙動に大きく影響を与えることがわかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *中性子照射 ,  *タングステン ,  *照射損傷 ,  プラズマ対向材料 ,  保持 ,  *重水素 ,  昇温脱離
準シソーラス用語： 重水素保持

分類 (2件)： 核融合装置  (BJ02083Z) ,  イオンとの相互作用  (BK16070Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 中性子照射 ,  タングステン ,  水素同位体 ,  滞留 ,  挙動 ,  照射損傷 ,  分布