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J-GLOBAL ID：201502220694201334   整理番号：15A1041384

スイッチバイアス照射下のMOS線量計の数値モデリング

Numerical Modeling of MOS Dosimeters Under Switched Bias Irradiations

著者 (4件)： SAMBUCO SALOMONE L. (Universidad de Buenos Aires, Ciudad Autonoma de Buenos Aires, ARG) ,  FAIGON A. (Universidad de Buenos Aires, Ciudad Autonoma de Buenos Aires, ARG) ,  FAIGON A. (CONICET, Buenos Aires, ARG) ,  REDIN E. G. (Universidad de Buenos Aires, Ciudad Autonoma de Buenos Aires, ARG)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 62  号： 4,Pt.1  ページ： 1665-1673  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOSトランジスタのゲート酸化膜厚が薄くなった結果,近代的素子の放射線感受性が低下した。しかし,総電離線量(TID)は敏感なアイソレーション酸化膜故にCMOS回路に影響を与える得る。照射時のバイアススイッチングに基づく方法はMOS線量計の測定範囲を拡張できる。本論文では,スイッチバイアス照射下のMOS線量計の応答を再現するための物理学に基づくモデルを示した。このモデルによると,バイアススイッチ後の非単調応答は単一トラップを用いて空間電荷再分布により説明できる。正孔捕獲率と中性化率の電場依存性を解析し,文献データと比較した。

シソーラス用語： バイアス ,  *線量計 ,  *MOSFET ,  放射線効果 ,  *半導体放射線検出器 ,  キャリア捕獲 ,  中性化 ,  依存性 ,  モデリング
準シソーラス用語： *MOS線量計 ,  数値モデリング ,  正孔捕獲 ,  電場依存性

分類 (1件)： 線量計測・計測器  (AD08050Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： バイアス ,  MOS ,  線量計 ,  数値モデリング