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J-GLOBAL ID：201502220702347521   整理番号：15A1399433

CVDによる3C-SiCの4H-SiC上でのヘテロエピタキシャル成長のステップバイステップ実験

A step-by-step experiment of 3C-SiC hetero-epitaxial growth on 4H-SiC by CVD

著者 (7件)： XIN Bin (School of Microelectronics, Xidian Univ., Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an ...) ,  JIA Ren-Xu (School of Microelectronics, Xidian Univ., Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an ...) ,  HU Ji-Chao (School of Microelectronics, Xidian Univ., Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an ...) ,  TSAI Cheng-Ying (Graduate Inst. of Electronics Engineering, National Taiwan Univ., 10617 Taipei, Taiwan) ,  LIN Hao-Hsiung (Graduate Inst. of Electronics Engineering, National Taiwan Univ., 10617 Taipei, Taiwan) ,  LIN Hao-Hsiung (Graduate Inst. of Photonics and Optoelectronics, National Taiwan Univ., 10617 Taipei, Taiwan) ,  ZHANG Yu-Ming (School of Microelectronics, Xidian Univ., Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 357  号： PA  ページ： 985-993  発行年： 2015年12月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ヘテロエピタキシャルSiCの成長機構を調べるために,4H-SiCの軸上基板にCVD法により成長した3C-SiCエピタキシャル層のステップごとの実験について報告した。4つの1/4の4H-SiCウエハを使った4段階の実験を行った。エピタキシャル層の形態を光学顕微鏡と原子間力顕微鏡を用いて評価した。これまでに,エピ層の形態に影響を及ぼす主な要因は,浅い溝をもち高密度で存在する二重位置境界(DPB)欠陥であることが見出されていた。しかしながら,本実験では,高温成長条件でのはるかに低密度の突き出たヒル形態であることが分かった。吸着原子の異方的移動がDPB欠陥の形態を形成していると見なし,新たな”DPB欠陥アシストエピタクシー”成長モードをFrank-van der Merwe成長モードに基づいて提案した。Raman分光とX線回折を用いてエピタキシャル層の多形と品質を調べた。Copyright 2016 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  *化学蒸着 ,  *エピタクシー ,  層 ,  Ramanスペクトル ,  *薄膜成長 ,  ヘテロエピタクシー
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  *エピタキシャル成長 ,  エピタキシャル層 ,  成長モード ,  Frank-van der Merwe成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： CVD ,  3C-SiC ,  4H-SiC ,  成長 ,  実験