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J-GLOBAL ID：201502220724693750   整理番号：15A0948902

無蒸気環境中のSiO_x系記憶素子に及ぼすCu_xOバッファ層の影響

Effects of a Cu _x O Buffer Layer on a SiO _x -Based Memory Device in a Vaporless Environment

著者 (2件)： LIU Chih-Yi (National Kaohsiung Univ. Applied Sci., Kaohsiung, TWN) ,  HUANG Zheng-Yao (National Kaohsiung Univ. Applied Sci., Kaohsiung, TWN)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 10:290 (WEB ONLY)  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu/SiO_x/Pt構造(比較参照試料)の抵抗スイッチング特性は湿度との直接相関を示した。H₂O蒸気はCu/SiO_x界面に酸化銅を形成し,酸化銅からSiO_x層へCuイオンが注入され,抵抗スイッチングが向上した。しかし,比較参照試料は無蒸気環境中で大幅なスイッチング分散を示した。Cu/Cu_xO/SiO_x/Pt構造(Cu_xO試料)中のCu_xO層はCu電極からSiO_x層へのCuイオンの溶解を助け,無蒸気環境中の効果的電気化学抵抗スイッチングを可能にした。Cu_xO試料は無蒸気環境中で低いスイッチング分散と好ましい耐久性を示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化ケイ素 ,  記憶素子 ,  *スイッチング ,  *記憶装置 ,  湿度 ,  *酸化銅 ,  バッファ層 ,  水蒸気 ,  *金属イオン ,  素子構造 ,  X線光電子スペクトル ,  電気抵抗率 ,  RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  酸化物 ,  薄膜 ,  分散【dispersion】 ,  耐久性
準シソーラス用語： 抵抗スイッチング ,  *抵抗スイッチングメモリ ,  *銅イオン ,  RRAM ,  酸化物薄膜

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 蒸気 ,  環境 ,  記憶素子 ,  バッファ層