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J-GLOBAL ID:201502220785045939   整理番号:15A0770607

エピタキシャルMOF薄膜の光誘導性チャージ・キャリヤー生成 間接的な電子バンド・ギャップの結果としての高効率?

Photoinduced Charge-Carrier Generation in Epitaxial MOF Thin Films: High Efficiency as a Result of an Indirect Electronic Band Gap?
著者 (17件):
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巻: 54  号: 25  ページ: 7441-7445  発行年: 2015年06月15日 
JST資料番号: H0127B  ISSN: 1433-7851  CODEN: ACIEAY  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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無機半導体で結晶性秩序が無秩序材料と劇的な違いを引き起こすバンド構成に導く。例は,間接禁制帯幅の存在である。バンドが通常平らで,したがって,バンドギャップは直接なので有機半導体で,このような効果は,典型的に考慮されない。ここで,ポルフィリンの秩序配列が小間接禁制帯幅の形成に至る占有と非占有バンドの小さな分散を明らかにすることを実証する電子構造計算からの結果を示した。このような秩序構造が液相エピタキシーによって製作でき,対応する結晶質の有機半導体が大きなチャージ・キャリヤー移動度と異常に大きいチャージ・キャリヤー生成効率を含む優れた光物理的特性を示すことをここで実証した。注目に値する効率を示すこの新しい材料に基づき,プロトタイプ有機光起電力デバイスを組み立てた。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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有機化合物の薄膜 

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