MOU S.S. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
IRIE H. について
NTT Corp., Atsugi, JPN について
ASANO Y. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
AKAHANE K. について
National Inst. Information and Communication Technol., Koganei, JPN について
NAKAJIMA H. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
KUMANO H. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
SASAKI M. について
National Inst. Information and Communication Technol., Koganei, JPN について
MURAYAMA A. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
SUEMUNE I. について
Hokkaido Univ., Sapporo, JPN について
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について
量子ドット について
ヒ化インジウム について
化合物半導体 について
状態密度 について
素子構造 について
ヒ化ガリウムインジウム について
N型半導体 について
ニオブ について
超伝導体 について
Cooper対 について
近接効果 について
超伝導接合 について
光ルミネセンス について
発光スペクトル について
エネルギーギャップ について
キャリア寿命 について
ヘテロ構造 について
超伝導ギャップ について
電子状態密度 について
ルミネセンススペクトル について
金属系超伝導体の物性 について
半導体のルミネセンス について
InAs量子ドット について
ルミネセンススペクトル について
伝導 について
状態密度 について
光学観測 について