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J-GLOBAL ID：201502221004492469   整理番号：15A0745521

フォスフォレンにおける剪断起因の直接遷移から間接遷移への変化と異方性の減少の電子的起源

The electronic origin of shear-induced direct to indirect gap transition and anisotropy diminution in phosphorene

著者 (6件)： SA Baisheng (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  LI Yan-Ling (Jiangsu Normal Univ., Xuzhou, CHN) ,  SUN Zhimei (Beihang Univ., Beijing, CHN) ,  QI Jingshan (Jiangsu Normal Univ., Xuzhou, CHN) ,  WEN Cuilian (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN) ,  WU Bo (Fuzhou Univ., Fuzhou, CHN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 26  号： 21  ページ： 215205,1-8  発行年： 2015年05月29日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 人工的な単分子層の黒燐,すなわちフォスフォレンは,独特な特性から注目を浴びている。これを第1原理計算により調べた。フォノン分散曲線からフォスフォレンは10%までの印加剪断歪を安定に維持できた。フォスフォレンのバンドギャップは,剪断歪なしで1.54eV,剪断歪5%からバンドギャップが減少し始め,直接遷移から間接遷移半導体に変化し,剪断歪10%で1.22eVとなった。エネルギー帯の最低電導帯がΓ点からM-to-Y方向の中間に変化するためであった。更に,フォスフォレンの異方性の減少を最大音波速度,実効質量,分解電荷密度から議論した。電子デバイスへの応用では直接遷移半導体であることが望ましく,剪断歪は5%以下に制御する必要がある。

シソーラス用語： *黒リン ,  *単分子層 ,  計算 ,  剪断歪 ,  *電子遷移 ,  バンドギャップ ,  異方性 ,  音速 ,  有効質量 ,  フォノン分散
準シソーラス用語： 音波速度 ,  *間接遷移 ,  *黒燐 ,  実効質量 ,  第一原理計算 ,  *直接遷移

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (8件)： フォスフォレン ,  剪断 ,  起因 ,  直接遷移 ,  間接遷移 ,  異方性 ,  電子 ,  起源