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J-GLOBAL ID:201502221045432854   整理番号:15A1387543

分子フィルムの局部電流密度の第一原理からの計算

Local Current Density Calculations for Molecular Films from Ab Initio
著者 (3件):
資料名:
巻: 11  号: 11  ページ: 5161-5176  発行年: 2015年11月 
JST資料番号: W2328A  ISSN: 1549-9618  CODEN: JCTCCE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本稿で我々はローカル電流密度J(r)と関連する誘導されたローカル磁場B(r)の我々の計算を説明する。この目的の為に我々は非平衡グリーン関数(NEGF)の形式を(独立の)Kohn-Sham粒子に適用する。この手続きは一般的であり,そして密度関数理論(DFT)に依存する他のNEGFコードでも実行することが出来る。現存するコードは透過係数又は電流ー電圧特性の様なグローバルな量にフォーカスする。サンプルはDFTB+の上で実行したgDFTBとTRANSIESTA,SMEAGOLの様な完全なDFTの様なDFTに基づくしっかり結合したコード又はWANTを含んでいる。
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分類 (1件):
分類
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分子の電気的・磁気的性質 
タイトルに関連する用語 (5件):
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