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J-GLOBAL ID:201502221182657871   整理番号:15A1175263

F8BT膜の表面形態とF8BT膜に及ぼすAlの界面構造と反応【Powered by NICT】

Surface morphology of F8BT films and interface structures and reactions of Al on F8BT films
著者 (7件):
資料名:
巻: 64  号:ページ: 077304-1-077304-10  発行年: 2015年 
JST資料番号: B0628A  ISSN: 1000-3290  CODEN: WLHPA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 中国語 (ZH)
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金属とこれらの重合体の間の界面での化学的相互作用と電子構造と共に,π共役高分子の表面形態と分子配向は高分子をベースとする有機電子および光電子デバイスの性能に強く影響する。本研究では,原子間力顕微鏡(A FM),シンクロトロン放射光電子分光法(SRPES)及び近吸収端X線吸収微細構造(NEXAFS)をスピンコートポリ(9,9-ジオクチルフルオレン-co-ベンゾチオジアゾール)(F8BT)膜の形態,構造および分子配向と蒸着したAl金属との相互作用をその場的に調べるために使用されてきた。F8BT膜は清浄金被覆シリコンウエハ表面上にF8BTクロロホルム溶液をスピンコーティングすることにより調製した。室温スピンコートしたF8BT膜はかなり平らであるが,ガラス転移温度(T_g=130°C)以下の温和なアニーリング処理(120 °C)は,F8BT膜の表面粗さ,金属とF8BT間の接触面積を効果的に増加させるのに役立つの明らかな増加をもたらした。真空中,70°Cアニーリング後,F8BTの芳香環は優先的に立っているよりエッジオン,基板と約49°の平均傾斜角を作る,一方9,9-ジオクチルフルオレンユニット(F8)とbenzothiodiazoleユニット(BT)は同一平面に位置する。室温でF8BTへのAl金属を蒸気堆積により,強い化学的相互作用はAlとF8BTの間で起こる,Sの2p,1sと1sスペクトルの明確な変化によって証明された。AlはF8BTにおけるNおよびC原子よりもより強くS原子と反応する。さらに,F8BTの価電子バンドの明らかな構造変化もAl蒸着時に観察された。さらに,AlはF8BTに電子をドープ,下向きのバンド曲げ,Al/F8BT界面での界面双極子の形成,及び最低非占有分子軌道(LUMO)の部分的占有をもたらした。しかし,ドーピング誘起ギャップ状態はAl/F8BT界面の形成中に認められなかった。Al蒸着中の二次電子カットオフのシフトと共にF8BTの内殻準位と価電子帯スペクトルの変化の研究により,Al/F8BT界面におけるエネルギーレベル配列図を導出した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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数理物理学 
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