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J-GLOBAL ID：201502221219637710   整理番号：15A1000111

ベリリウム結合形成によるσホール生成

Creating σ-Holes through the Formation of Beryllium Bonds

著者 (5件)： BREA Oriana (Departamento de Quimica, Modulo 13, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Excelencia UAM-CSIC, Cantoblanco ...) ,  MO Otilia (Departamento de Quimica, Modulo 13, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Excelencia UAM-CSIC, Cantoblanco ...) ,  YANEZ Manuel (Departamento de Quimica, Modulo 13, Universidad Autonoma de Madrid, Campus de Excelencia UAM-CSIC, Cantoblanco ...) ,  ALKORTA Ibon (Instituto de Quimica Medica (IQM-CSIC), Juan de la Cierva, 3, 28006 Madrid (Spain). [e-mail]) ,  ELGUERO Jose (Instituto de Quimica Medica (IQM-CSIC), Juan de la Cierva, 3, 28006 Madrid (Spain))
資料名： Chemistry - European Journal  (Chemistry - European Journal)
巻： 21  号： 36  ページ： 12676-12682  発行年： 2015年09月01日 
JST資料番号： W0744A  ISSN： 0947-6539  CODEN： CEUJED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MP2/aug-cc-pVDZ最適化構造と,CCSD(T)/aug-cc-pVTZとCCSD(T)/aug-c-pVTZ総エネルギーに基づくab initio理論モデル用い,ベリリウム結合形成に続く大きな電子密度再構成が,CH₃OF,NO₂F,NO₃F,その他のフッ素を含む系で今まで見られなかった,システムでのσホール出現に通じることを示した。σホールの生成は,結合活性化起動補強(BAR)則のもう1つの現れであった。CH₃OFのF原子でのσホールの出現は,ベリリウム結合に関わるO原子の電気陰性度亢進によった。この原子は,Fの原子価密度を結合域に分極することで,Beに移動した電荷の一部を補った。電子密度の分析は,本当に,この結合が補強されるが,F原子がσホールの出現でより電子欠損になることを示した。重要なことは,同様の効果が,ベリリウム結合に加わる原子が,NO₂F,NO₃F,NCFのように,直接F原子につながっていない時も見られることであった。従って,孤立したCH₃OF,NO₂F,NO₃FがF・・・塩基水素結合をもたらさないが,BeX₂誘導体とそれらの錯体が,こうした結合をもたらすことができた。新しいハロゲン結合とベリリウム結合の間の顕著な共同効果は,両方の非共有結合相互作用の強さを高めた。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 計算 ,  *化学結合 ,  *電子密度 ,  *ベリリウム化合物 ,  フッ素化合物 ,  電気陰性度 ,  塩化ベリリウム ,  ベリリウム錯体 ,  CCSD/T法 ,  MP2法
準シソーラス用語： ab initio計算 ,  *σホール ,  *非共有結合

分類 (2件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  非遷移金属元素の錯体  (CE01030C)

タイトルに関連する用語 (3件)： ベリリウム ,  結合形成 ,  ホール