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J-GLOBAL ID：201502221237115984   整理番号：15A0793507

GeTeカルコゲン化物膜の構造特性,光学特性および相変化特性に及ぼすAg光ドーピングの影響

Effect of Ag photo-doping on structural, optical and phase change properties of GeTe chalcogenide films

著者 (5件)： KUMAR Praveen (Dep. of Physics, DAV Univ., Sarmastpur, Jalandhar 144012, IND) ,  CHANDER R. (Dep. of Physics, GND Univ., Amritsar 143005, IND) ,  CHANDER R. (Dep. of Applied Sciences, Government Polytechnic Coll., Amritsar 143001, IND) ,  SATHIARAJ T.S. (Dep. of Physics, Botswana International Univ. of Sci. and Technol., Palapye, Botswana) ,  THANGARAJ R. (Dep. of Physics, GND Univ., Amritsar 143005, IND)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 38  ページ： 188-191  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeTe:Ag薄膜の光学特性,電気特性および構造特性に及ぼすAg光ドーピングの影響を報告した。鋭い回折ピークが無いことにより,堆積したままの膜および光ドーピングした膜が非晶質であることを確認した。光ドーピング反応時間によりGeTe:Ag2層膜の反射率が減少することを観測した。RAMANスペクトルにより,GeTe₄に対する特性Ramanバンド(127cm^-1),Te-Te鎖の長鎖相互作用(145cm^-1)およびGe-Ge振動に対する広いピーク(275cm^-1)を示した。これらは光ドーピングAg濃度によりその位置/形状があまり変化しない。結晶質状態,非晶質状態の両方において,Agの光ドーピングは転移温度値および抵抗率値の増加と共に非晶質-結晶質相転移が鮮鋭になることを電気抵抗率測定により示した。光ドーピングGeTe:Ag試料のアニーリングは,アニーリング試料にAg相を析出せずにGeTeの結晶化度を増強させた。GeTe:Ag膜に対して結晶化ではGeTe(200)相の優先的形成が観測された。光ドーピングおよびアニーリング試料に対して各種の光学パラメータを計算し,光ドーピングAg量の含有によるGeTeネットワーク構造の改良と連動させて検討を行った。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銀 ,  *フォトドーピング ,  *添加物効果 ,  光学的性質 ,  *相転移 ,  *電気抵抗率 ,  *光吸収 ,  Raman分光法 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  *テルル化合物 ,  *カルコゲン化物 ,  不揮発性メモリ ,  薄膜 ,  反応時間 ,  反射率 ,  転移温度 ,  結晶度 ,  結晶化 ,  ネットワーク構造 ,  *材料
準シソーラス用語： 相変化 ,  非晶質薄膜 ,  相変化材料

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (7件)： GeTe ,  カルコゲン化物 ,  構造特性 ,  光学特性 ,  相変化 ,  Ag ,  光ドーピング