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J-GLOBAL ID：201502221244463580   整理番号：15A1113449

線形マイクロ波化学蒸着により堆積したSiN_xの微細構造と光学的性質【Powered by NICT】

The microstructure and optical properties of SiN_x deposited by linear microwave chemical vapor deposition

著者 (5件)： Zhang Jian (School of Machinery and Automation, Northeastern Univ., Shenyang) ,  Ba Dechun (SKY Technol. Dev. Co., Ltd. Chinese Acad. of Sciences, Shenyang) ,  Zhao Chongling (SKY Technol. Dev. Co., Ltd. Chinese Acad. of Sciences, Shenyang) ,  Liu Kun (SKY Technol. Dev. Co., Ltd. Chinese Acad. of Sciences, Shenyang) ,  Du Guangyu (SKY Technol. Dev. Co., Ltd. Chinese Acad. of Sciences, Shenyang)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 64  号： 6  ページ： 067801-1-067801-6  発行年： 2015年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： SiN_x膜は種々のマイクロ波パワー,デューティサイクル,基板温度,およびアンモニア(NH_3)ガス流へのシラン(SiH_4)流の比で自家製線形マイクロ波プラズマ強化化学蒸着システムでSi基板上に合成した。SiN_x膜の膜表面,化学量論比,屈折率および堆積速度の形態に及ぼす技術的パラメータの影響を走査電子顕微鏡(SEM)と楕円偏光装置により特性化し,化学量論比,屈折率および堆積速度の間の関係を調べた。SEM分析からの結果は,表面は平滑と元素は,種々の蒸着パラメータ下で得られた膜中に均一に分布することを示した。NH_3ガス流とデューティサイクルにSiH_4流の比は1.92から2.33まで変化できる屈折率を決定する最も重要な因子である。厚さ測定はSiN_x膜の堆積速度はマイクロ波出力,デューティサイクル,基板温度と流量比に影響されることを示した。論文で達成された最大堆積速度は135nmmin~(-1)である。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 気体流 ,  *化学蒸着 ,  厚み測定 ,  化学量論 ,  楕円偏光 ,  屈折率 ,  基板温度 ,  キャラクタリゼーション ,  プラズマCVD ,  堆積速度 ,  *マイクロ波 ,  *蒸着
準シソーラス用語： 流量比 ,  シリコンウエハ ,  デューティサイクル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 線形 ,  マイクロ波化学 ,  蒸着 ,  堆積 ,  微細構造 ,  光学的性質