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J-GLOBAL ID：201502221325035729   整理番号：15A1103731

BiFe_1-xMn_xO₃薄膜及び[CaFeO_x/BiFe_1-xMn_xO₃]人工超格子の電気的特性

Electric Properties of BiFe_1-xMn_xO₃ Thin Films and CaFeO_x/BiFe_1-xMn_xO₃ Superlattices

著者 (12件)： 稲葉隆哲 (日本大 理工) ,  渡部雄太 (日本大 理工) ,  大島佳祐 (日本大 理工) ,  WANG Chun (日本大 理工) ,  SONG Huaping (日本大 理工) ,  大橋祥平 (日本大 理工) ,  CHANG Qi (日本大 理工) ,  高瀬浩一 (日本大 理工) ,  橋本拓也 (日本大 文理) ,  永田知子 (日本大 理工) ,  山本寛 (日本大 理工) ,  岩田展幸 (日本大 理工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 179(CPM2015 31-45)  ページ： 35-40  発行年： 2015年08月03日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： SrTiO₃(STO)(001)基板上にパルスレーザー堆積(Pulsed laser deposition:PLD)法により酸化物人工超格子,およびBiFe_1-xMn_xO₃(BFMO)薄膜を作製する。BFMO薄膜表面は,数nmの深さを持つ溝及び1ユニットとバンチングステップが混在したステップテラス構造を示す。逆格子マッピングから,BFMO薄膜は,STO<110>方向に傾いたmonoclinic構造を持つ4つのグレインで構成されている。BFMO薄膜は150K以下では,トンネル電流を主体とした伝導機構を示す。200Kの低電界ではオーミック伝導を示し,200K以上の高電界ではトンネル電流とプールフレンケル伝導に従うリーク電流特性を示す。ホッピング伝導における伝導キャリアのトラップレベルは,約0.3eVを示す。(著者抄録)

シソーラス用語： *人工超格子 ,  酸化物 ,  薄膜成長 ,  表面テラス ,  写像 ,  結晶成長 ,  電流 ,  電気的性質 ,  *強誘電体 ,  磁気電気効果 ,  *パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： トンネル電流 ,  *マルチフェロイック ,  逆格子マッピング

分類 (2件)： 磁性材料  (NA04040H) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (20件)：

• M. Huijben, G. Rijnders, D. H. A. Blank, S. Bals, S. V. Aert, J. Verbeeck, G. V. Tendeloo, A. Brinkman, and H. Hilgenkamp, "Electronically coupled complementary interfaces between perovskite band insulators", Nat. Mater. 5 556 (2006).
• M. Huijben, A. Brinkman, G. Koster, G. Rijnders, H. Hilgenkamp, and D. H. A. Blank, "Structure-Property Relation of SrTiO₃/LaAlO₃ Interfaces", Adv. Mater. 21 1665 (2009).
• M. R. Fitzsimmons, N. W. Hengartner, S. Singh, M. Zhernenkov, F. Y. Bruno, J. Santamaria, A. Brinkman, M. Huijben, H. J. A. Molegraaf, J. de la Venta, and I. K. Schuller, "Upper Limit to Magnetism in LaAlO₃/ SrTiO₃ Heterostructures", Phys. Rev. Lett. 107 217201 (2011).
• F. Gunkel, P. Brinks, S. Hoffmann-Eifert, R. Dittmann, M. Huijben, J. E. Kleibeuker, G. Koster, G. Rijnders, and R. Waser, "Influence of charge compensation mechanisms on the sheet electron density at conducting LaAlO₃/ SrTiO₃- interfaces", Appl. Phys. Lett. 100 052103 (2012).
• R. Pentcheva, M. Huijben, K. Otte, W. E. Pickett, J. E. Kleibeuker, J. Huijben, H. Boschker, D. Kockmann, W. Siemons, G. Koster, H. J. W. Zandvliet, G. Rijnders, D. H. A. Blank, H. Hilgenkamp, and A. Brinkman," Parallel Electron-Hole Bilayer Conductivity from Electronic Interface Reconstruction", Phys. Rev. Lett. 104 166804 (2010).

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  人工超格子 ,  電気的特性