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J-GLOBAL ID：201502221399704923   整理番号：15A0760893

EuドープLaSi₃N₅蛍光体の電子構造とバンドギャップの第一原理調査:酸素原子の役割

Ab initio study of the electronic structure and band gaps of Eu-doped LaSi₃N₅ phosphors: A role of oxygen atom

著者 (6件)： IBRAHIM Ismail A.M. (Inst. of Inorganic Chemistry, Slovak Acad. of Sciences, 84536 Bratislava, SVK) ,  IBRAHIM Ismail A.M. (Dep. of Chemistry, Fac. of Sci., Helwan Univ., 11795 Cairo, Egypt) ,  LENCES Zoltan (Inst. of Inorganic Chemistry, Slovak Acad. of Sciences, 84536 Bratislava, SVK) ,  BENCO Lubomir (Inst. of Inorganic Chemistry, Slovak Acad. of Sciences, 84536 Bratislava, SVK) ,  BENCO Lubomir (Fac. of Physics and Centre for Computational Materials Sci., Univ. of Vienna, A-1090 Wien, AUT) ,  SAJGALIK Pavol (Inst. of Inorganic Chemistry, Slovak Acad. of Sciences, 84536 Bratislava, SVK)
資料名： Journal of the European Ceramic Society  (Journal of the European Ceramic Society)
巻： 35  号： 12  ページ： 3249-3253  発行年： 2015年10月 
JST資料番号： E0801B  ISSN： 0955-2219  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EuドープLaSi₃N₅蛍光体の電子構造とバンドギャップの第一原理計算をHSE06関数を用いて実施した。Eu³⁺-およびEu²⁺-ドープLaSi₃N₅の計算したバンドギャップはそれぞれ0.68eVおよび3.28eVで,前者は電子遷移p→4f,後者は4f→5dである。Eu²⁺ドープLaSi₃N₅の場合,La³⁺/Eu²⁺置換による電荷バランスはN^3-/O^2-置換によって補償された。Eu²⁺ドープLaSi₃N₅のバンドギャップもEu-O距離の関数として計算した。バンドギャップはEu-O距離の~2.5Åから~3.9Åまでの増加と共に~3.3eVから~2.9eVまで低下する。さらに,酸素量は三つのN^3-/O^2-置換によって補償されるLa空孔の生成によって増加した。この計算はLaSi₃N₅あるいはEu³⁺あるいはEu²⁺ドープLaSi₃N₅のセル内の酸素および空孔の増加と共にバンドギャップは0.2~0.6eV低下することを示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ランタン化合物 ,  ケイ素化合物 ,  窒化物 ,  ユウロピウム ,  ドーピング ,  蛍光体 ,  *バンドギャップ ,  *電子構造 ,  計算
準シソーラス用語： 第一原理計算

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  絶縁体結晶の電子構造  (BM02070Y)

タイトルに関連する用語 (9件)： Eu ,  ドープ ,  蛍光体 ,  電子構造 ,  バンドギャップ ,  第一原理 ,  調査 ,  酸素原子 ,  役割