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J-GLOBAL ID：201502221408037099   整理番号：15A0406810

熱電パワーセンサの温度影響の解析と実験

Analysis and experiment of temperature effect on the thermoelectric power sensor

著者 (3件)： YI Zhenxiang (Key Lab. of MEMS of the Ministry of Education, Southeast Univ., Nanjing 210096, CHN) ,  LIAO Xiaoping (Key Lab. of MEMS of the Ministry of Education, Southeast Univ., Nanjing 210096, CHN) ,  WU Hao (Key Lab. of MEMS of the Ministry of Education, Southeast Univ., Nanjing 210096, CHN)
資料名： Sensors and Actuators. A. Physical  (Sensors and Actuators. A. Physical)
巻： 224  ページ： 99-105  発行年： 2015年04月01日 
JST資料番号： B0345C  ISSN： 0924-4247  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,異なる環境下でパッケージ化された熱電パワーセンサに対する温度の影響を説明するために一つの数値モデルを確立した。GaAs基板の熱伝導率および熱電対のゼーベック係数の両方は周囲温度によって変化し,それによりセンサの出力電圧に影響を与える。パッケージ化されたパワーセンサのリターンロスを,10GHzで-20dBまでとXバンドのエッジで-12dBまで測定した。実験温度は,温度チャンバ内で273Kから363Kまで行なった。測定結果と提示モデル間の合意が得られ,温度依存性係数は,50mWの入射パワーで10GHzで0.15mV/Kの近辺にある。さらに,出力電圧のキャリブレーションは,273Kから363Kで達成され,周囲温度に対する補償電力も50mW以下で記録された。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *センサ ,  温度依存性 ,  MEMS ,  *熱電素子 ,  *熱起電力 ,  ヒ化ガリウム ,  熱電効果 ,  減衰特性
準シソーラス用語： GaAs ,  MEMSセンサ ,  MEMSデバイス ,  Seebeck係数 ,  パッケージ化 ,  リターンロス ,  *熱電デバイス ,  *熱電パワーセンサ ,  熱電変換

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電力の計測法・機器  (AD07050J) ,  熱電デバイス  (NC03090J)

タイトルに関連する用語 (3件)： パワー ,  解析 ,  実験