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J-GLOBAL ID：201502221424781971   整理番号：15A1019131

共鳴トンネル素子を用いた△Σ型歪みセンサ

A Delta-Sigma Strain Sensor Using a Resonant Tunneling Diode

著者 (5件)： 前澤宏一 (富山大 大学院理工学研究部) ,  角谷祐一郎 (富山大 大学院理工学研究部) ,  中山大周 (富山大 大学院理工学研究部) ,  田近拓巳 (富山大 大学院理工学研究部) ,  森雅之 (富山大 大学院理工学研究部)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 115  号： 156(ED2015 36-46)  ページ： 51-55  発行年： 2015年07月17日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 共鳴トンネルダイオード(RTD)の微分負性抵抗は発振器の基盤であり,これを用いてすでに1THzを越える基本波発振が報告されている。RTD発振器は。THz信号源だけではなく,センサーへの応用も有望である。ここでは,カンチレバー上に装荷したRTD発振器の歪による周波数変調を利用した歪センサーについて述べた。これは,周波数変調(FM)中間信号を利用した△Σアナログ・デジタル変換器の原理を応用し,高ダイナミックレンジ,広帯域なセンサーを得ようというものである。本稿では,これを実現するための回路設計,プロセスについて述べ,また,△Σ変調方式の最も重要な特性であるノイズシェーピング特性の実験的検証結果について述べた。(著者抄録)

シソーラス用語： *共鳴トンネルダイオード ,  *センサ ,  歪 ,  歪測定 ,  負性抵抗 ,  発振器 ,  周波数変調 ,  ΔΣ変調 ,  回路設計 ,  量子化雑音
準シソーラス用語： *歪センサ ,  微分抵抗 ,  ノイズシェーピング

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  弾性力学一般  (HC02010M)

引用文献 (9件)：

• T. Maekawa, H. Kanaya, S. Suzuki, M. Asada, "Frequency increase in terahertz oscillation of resonant tunnelling diode up to 1.55 THz by reduced slot-antenna length," Electronics Letters, Volume 50, Issue 17, 14 August 2014, p. 1214-1216.
• M. Feiginov, C. Sydlo, O. Cojocari and P. Meissner, "Resonant-tunnelling-diode oscillators operating at frequencies above 1.1 THz," Appl. Phys. Lett. 99, pp. 233506, 2011.
• M. Hφvin, T. S. Lande, C. Toumazou, "Delta-Sigma Modulators Using Frequency-Modulated Intermediate Values," IEEE J. Solid-State Circuits 32, pp. 13-22, 1997.
• A. Iwata, N. Sakimura, M. Nagata and T. Morie, "The Architecture of Delta Sigma Analog-to-Digital Converters Using a Voltage-Controlled Oscillator as a Multibit Quantizer," IEEE Trans. Circuits and Systems-II 46, pp. 941-945, 1999.
• Yan He, B. W. Liang, N. C. Tien, and C. W. Tu, "Selective Chemical Etching of InP Over InAlAs," J. Electrochem. Soc. Vol. 139, pp. 2046-2047, 1992.

タイトルに関連する用語 (2件)： 共鳴トンネル素子 ,  歪みセンサ