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J-GLOBAL ID：201502221495368055   整理番号：15A0654178

二次元調整可能なフォトニック結晶およびNドープ半導体材料

Two dimensional tunable photonic crystals and n doped semiconductor materials

著者 (3件)： ELSAYED Hussein A. (Dept. of Physics, Fac. of Sciences, Beni-Suef Univ., Egypt) ,  EL-NAGGAR Sahar A. (Dept. of Engineering Math. and Physics, Fac. of Engineering, Cairo Univ., Giza, Egypt) ,  ALY Arafa H. (Dept. of Physics, Fac. of Sciences, Beni-Suef Univ., Egypt)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 160  ページ： 221-226  発行年： 2015年06月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,2次元半導体フォトニックバンド構造の特性に及ぼすドーピング濃度の影響を調べた。2つの構造を研究した。タイプI(II)は,空気の正方格子(Nドープ半導体)中に配置されたNドープ半導体(空気)ロッドで構成されている。3つの異なる形状のロッドを研究した。数値法は,周波数に依存する平面波展開法に基づく。数値結果は,II型フォトニックバンドギャップは,I型よりも不純物濃度の変化に敏感であることを示した。また,タイプIIのギャップ幅は,I型よりもロッド形状に敏感である。また,カットオフ周波数は,ドーピング濃度によって強く調整することができる。本構造体は,半導体用途向けの光エレクトロニクスに使用の可能性がある。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フォトニック結晶 ,  *ドーピング ,  *半導体材料 ,  バンド構造 ,  フォトニックバンドギャップ ,  正方格子 ,  平面波 ,  遮断周波数 ,  半導体 ,  オプトエレクトロニクス
準シソーラス用語： カットオフ周波数 ,  フォトニックバンド構造 ,  光エレクトロニクス ,  *窒素ドープ

分類 (1件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (3件)： フォトニック結晶 ,  ドープ ,  半導体材料