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J-GLOBAL ID:201502221587443959   整理番号:15A0653171

嵩高いイリジウム触媒によるベンゼン誘導体のパラ-C-Hホウ素化

para-C-H Borylation of Benzene Derivatives by a Bulky Iridium Catalyst
著者 (3件):
資料名:
巻: 137  号: 15  ページ: 5193-5198  発行年: 2015年04月22日 
JST資料番号: C0254A  ISSN: 0002-7863  CODEN: JACSAT  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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モノ置換ベンゼンと当量のB2pin2とをヘキサン中1.5mol%の[Ir(cod)OH]2と3mol%のXyl-MeO-BIPHEPと共に85°Cに加熱すると,Bpin基が主としてパラ位に収率50~82%,パラ/メタ選択性16~82%で導入された。ベンゼン環の置換基としてはTES,t-Bu,i-Pr,EtC(CO2Et)2,MeC(4-MeOPh)2基などが対応したが,エチルベンゼンではメタ置換体が優先した。ジメトキシ,ジメチル,ジ(CF3)ベンゼンも同様に反応した。この反応を用い抗コリン作動薬カラミフェンのパラ位にBpin基を導入した後,I,CN,Ph,OH,CF3置換体を合成した。
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分類 (2件):
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付加反応,脱離反応  ,  その他の触媒 
物質索引 (8件):
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