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J-GLOBAL ID:201502221723505157   整理番号:15A0290747

大規模シミュレーションを活用した新奇ナノ炭素による量子デバイスの創案に関する調査研究

著者 (3件):
資料名:
号: 58  ページ: 14-24  発行年: 2015年01月28日 
JST資料番号: L3423A  ISSN: 1343-8964  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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これまでコンピュータやインターネットの発展はシリコンデバイスの微細化による高速化によって支えられてきた。しかしシリコンデバイスは特性面で理論値限界に近づいている。こうした状況の下,ナノ炭素による量子デバイスがシリコンデバイスの後継として期待されている。そこで昨年度,新技術振興渡辺記念会より科学技術調査研究助成を受け,ナノ炭素による量子デバイス開発の動向調査を実施した。調査は初めに近年の新奇ナノ炭素の複合構造からなる新量子デバイスの研究開発動向に焦点を当て進めた。次に量子効果の把握が可能な大規模シミュレーションを試行的に活用し,新奇ナノ炭素による量子デバイスの実現可能性を評価した。本誌ではその内容の一部を紹介する。(著者抄録)
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
炭素とその化合物  ,  固体デバイス一般 

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