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文献
J-GLOBAL ID:201502222684749724   整理番号:15A0507456

Si基板上エピタキシャルグラフェンのNi援用低温形成とリアルタイム/角度分解光電子分光によるグラフェン化機構評価

著者 (9件):
資料名:
巻: 62nd  ページ: ROMBUNNO.12P-D7-5  発行年: 2015年02月26日
JST資料番号: Y0054B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  電子分光スペクトル 

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