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J-GLOBAL ID:201502224914625143   整理番号:15A0226865

デバイス応用に向けた6H-SiC上グラフェンの高品質・多機能化

著者 (3件):
資料名:
巻: 50th-11th  ページ: 49  発行年: 2015年01月09日 
JST資料番号: L5918A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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分類 (4件):
分類
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半導体薄膜  ,  原子・分子のクラスタ  ,  固体デバイス一般  ,  半導体の結晶成長 
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
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