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J-GLOBAL ID：201502225409678468   整理番号：15A0392997

反応性スパッタリングでデポジットした酸化サマリウム薄膜:微細構造,モルフォロジ,電気的性質に与えるスパッタリングパワーと基板温度の効果

Samarium oxide thin films deposited by reactive sputtering: Effects of sputtering power and substrate temperature on microstructure, morphology and electrical properties

著者 (10件)： KAYA S. (Physics Dep., Abant Izzet Baysal Univ., 14280 Bolu, TUR) ,  KAYA S. (Nuclear Radiation Detectors Res. and Dev. Center, 14280 Bolu, TUR) ,  YILMAZ E. (Physics Dep., Abant Izzet Baysal Univ., 14280 Bolu, TUR) ,  YILMAZ E. (Nuclear Radiation Detectors Res. and Dev. Center, 14280 Bolu, TUR) ,  KARACALI H. (Physics Dep., Abant Izzet Baysal Univ., 14280 Bolu, TUR) ,  KARACALI H. (Nuclear Radiation Detectors Res. and Dev. Center, 14280 Bolu, TUR) ,  CETINKAYA A.O. (Physics Dep., Abant Izzet Baysal Univ., 14280 Bolu, TUR) ,  CETINKAYA A.O. (Nuclear Radiation Detectors Res. and Dev. Center, 14280 Bolu, TUR) ,  AKTAG A. (Physics Dep., Abant Izzet Baysal Univ., 14280 Bolu, TUR) ,  AKTAG A. (Nuclear Radiation Detectors Res. and Dev. Center, 14280 Bolu, TUR)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 33  ページ： 42-48  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,Sm₂O₂薄膜の微細構造,モルフォロジ,電気特性に与えるスパッタリングパワーと基板温度の増加の効果を報告する。全ての膜は反応性スパッタリング技術で,スパッタリングパワーを100から250Wの間で50W置きに50°Cでデポジットした。膜の結晶化,d間隔をX線回折(XRD)で決定した。半定量的組成変化はネエネルギー分散X線(EDX)分光で調べ,微細構造とモルフォロジ変化は原子間力顕微鏡(AFM)で調べた。更に,膜の電気的進展を交流(ac)伝導度で決定した。膜の結晶化はスパッタリングパワーが200Wまでは増加し,250Wのパワーで減少する。従って,200Wでデポジットした膜を50°C,125°C,200°Cでアニールすると,結晶化の連続的改善が観察された。膜の組成はスパッタリングパワーと基板温度を高めることの両方で改善される。膜の粒界と表面粗さは基板温度変化に大きく影響されることが分かった。膜のac伝導度はスパッタリングパワーと基板温度を増加させると1.10×10⁸Ω^-1cm^-1から2.50×10⁶Ω^-1cm^-1に次第に減少する。この結果は,200Wスパッタリングパワーと200°C基板温度で製作したSm₂O₂薄膜が求める構造とモルフォロジ的特性を持つことを示している。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： スパッタリング ,  *基板温度 ,  希土類元素化合物 ,  酸化物 ,  *酸化サマリウム ,  薄膜 ,  原子間力顕微鏡 ,  微細構造 ,  モルフォロジー ,  電気的性質 ,  X線回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *反応性スパッタリング
準シソーラス用語： AFM【顕微鏡】 ,  EDX分析 ,  希土類酸化物

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (10件)： 反応性スパッタリング ,  デポジット ,  酸化サマリウム ,  薄膜 ,  微細構造 ,  モルフォロジ ,  電気的性質 ,  スパッタリング ,  パワー ,  基板温度