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J-GLOBAL ID：201502226242624782   整理番号：15A0222858

金属内包フラーレンCe@C₈₂単一分子トランジスタの電子輸送

Electron transport in endohedral metallofullerene Ce@C₈₂ single-molecule transistors

著者 (4件)： OKAMURA Naoya (Center for Photonics Electronics Convergence, Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku ...) ,  YOSHIDA Kenji (Center for Photonics Electronics Convergence, Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku ...) ,  SAKATA Shuichi (Center for Photonics Electronics Convergence, Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku ...) ,  HIRAKAWA Kazuhiko (Center for Photonics Electronics Convergence, Inst. of Industrial Sci., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 4  ページ： 043108-043108-4  発行年： 2015年01月26日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *包接化合物 ,  *セリウム ,  *フラーレンC82 ,  トランジスタ ,  フラーレン ,  単一電子トンネル効果 ,  電流電圧特性 ,  ヒステリシス ,  電圧 ,  電気双極子 ,  図表 ,  *フラーレンC84 ,  *金属内包フラーレン
準シソーラス用語： Coulomb安定性ダイアグラム ,  バイアス電圧 ,  *単一分子トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： 金属内包フラーレン ,  単一分子トランジスタ ,  電子輸送