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J-GLOBAL ID：201502229408507517   整理番号：15A0500612

シリセンの材料科学における進展

Progress in the materials science of silicene

著者 (2件)： YAMADA-TAKAMURA Yukiko (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN) ,  FRIEDLEIN Rainer (Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), Ishikawa, JPN)
資料名： Science and Technology of Advanced Materials (Web)  (Science and Technology of Advanced Materials (Web))
巻： 15  号： 6  ページ： WEB ONLY 064404  発行年： 2014年12月 
JST資料番号： U7009A  ISSN： 1878-5514  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： まだ仮説の段階であるが,シリセンと呼ばれるグラフェンの対照物Siが無質量Diracフェルミオンを持ち,実験的にアクセス可能な量子スピンホール効果を示す。このような興味ある電子特性は,金属基板上に準備された二次元(2D)Siハニカム格子では実現されず,このエピタキシャルシリセン相の結晶およびハイブリッド電子構造は基板により強く影響を受け,分離した2D構造に対する予測からは異なっている。このような低次元Siπ材料の実現は困難であると同時に,シリセンの背後にある材料科学が挑戦すべき問題点として残っている。これらの寄与の中で,著者らの最近の結果,二ホウ化物薄膜上に形成したエピタキシャルシリセンの理解強化を導き,残った挑戦課題であるナノエレクトロニクス材料として技術的に興味あるSi2Dナノ構造をチューニングするための方法をレビューする。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヘテロエピタクシー ,  *ケイ素 ,  半導体薄膜 ,  ホウ化物 ,  電子技術 ,  二次元 ,  ナノ構造 ,  *量子Hall効果 ,  フェルミオン
準シソーラス用語： Diracフェルミオン ,  *シリセン ,  ナノエレクトロニクス ,  *量子スピンHall効果

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

引用文献 (78件)：

• Yin M T and Cohen M L 1984 Phys. Rev. B 29 6996
• Fink M J, Michalczyk M J, Haller K J, West R and Michl J 1984 Organometallics 3 793
• Pandey K C 1981 Phys. Rev. Lett. 47 1913
• Fleurence A, Friedlein R, Ozaki T, Kawai H, Wang Y and Yamada-Takamura Y 2012 Phys. Rev. Lett. 108 245501
• Guzman-Verri G and Lew Yan Voon L C 2007 Phys. Rev. B 76 075131

タイトルに関連する用語 (3件)： シリセン ,  材料科学 ,  進展