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J-GLOBAL ID：201502229803590059   整理番号：15A0292793

シリコンの開放フレームワーク同素体

Synthesis of an open-framework allotrope of silicon

著者 (5件)： KIM Duck Young (Carnegie Institution of Washington, Washington DC, USA) ,  STEFANOSKI Stevce (Carnegie Institution of Washington, Washington DC, USA) ,  KURAKEVYCH Oleksandr O. (Carnegie Institution of Washington, Washington DC, USA) ,  KURAKEVYCH Oleksandr O. (UPMC Sorbonne Univ., Paris, FRA) ,  STROBEL Timothy A. (Carnegie Institution of Washington, Washington DC, USA)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 14  号： 2  ページ： 169-173  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンは間接遷移型であるためデバイス利用範囲が制限されている。これまで,多くの準安定同素体が報告されているが,光電デバイスに理想的な1.3eVの直接遷移型バンドギャップを満たすものは得られていない。本研究では,新たな2段階法を開発し,新しい斜方晶系シリコン同素体Si₂₄を作製し評価を行った。まず,Eu₄Ga₈Ge₁₆型構造を有するNa₄Si₂₄を合成した。その後,Naを蒸発除去することでSi₂₄を得た。粉末X線回折,電子顕微鏡,電気特性,光学反射測定に加え,第一原理計算を行った。Na₄Si₂₄はNa直鎖を含むsp³チャンネル状Siホストから成り,Naの除去後もSiの構造は変化しないことが分かった。特性評価の結果,Si₂₄は1.3eVの擬直接遷移型バンドギャップを有することを明らかにした。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *元素 ,  *開放型 ,  *骨格 ,  ケイ化物 ,  ナトリウム化合物 ,  *化学合成 ,  高温 ,  高圧 ,  *真空脱ガス ,  *Rietveld法 ,  *反射率 ,  光反射 ,  計算 ,  *第一原理 ,  チャネル ,  バンドギャップ ,  半導体 ,  斜方晶系 ,  *電気伝導率
準シソーラス用語： ケイ化ナトリウム ,  シリコン ,  光反射率 ,  高温高圧合成 ,  第一原理計算 ,  直接バンドギャップ ,  *同素体

分類 (4件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  金属の結晶構造  (BK06000V) ,  金属結晶の電子伝導  (BM03033M) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  フレームワーク ,  同素体