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J-GLOBAL ID：201502230452406874   整理番号：15A0384332

単一インバータブリッジを用いた二重周波数誘導加熱に対するSiおよびSiC MOSFETの適用の比較検討

Comparative Study of a Single Inverter Bridge for Dual-Frequency Induction Heating Using Si and SiC MOSFETs

著者 (7件)： ESTEVE Vicente (Univ. Valencia, Valencia, ESP) ,  JORDAN Jose (Univ. Valencia, Valencia, ESP) ,  SANCHIS-KILDERS Esteban (Univ. Valencia, Valencia, ESP) ,  DEDE Enrique J. (GH Electrotermia S.A., Valencia, ESP) ,  MASET Enrique (Univ. Valencia, Valencia, ESP) ,  EJEA Juan B. (Univ. Valencia, Valencia, ESP) ,  FERRERES Agustin (Univ. Valencia, Valencia, ESP)
資料名： IEEE Transactions on Industrial Electronics  (IEEE Transactions on Industrial Electronics)
巻： 62  号： 3  ページ： 1440-1450  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： C0234A  ISSN： 0278-0046  CODEN： ITIED6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表面形状が平坦でない円筒状加工物を誘導加熱によって表面硬化処理する場合には加熱を均一化するために浸透厚さの異なる2種類の周波数を重畳する二重周波数加熱方式が必要となる。本文ではこのような二重周波数誘導加熱を1つのインバータと一つの加熱コイルを用いて実現する手法を紹介し,さらにインバータのスイッチング素子としてSi-MOSFETを用いた場合とSiC-MOSFETを用いた場合を比較検討した結果を紹介した。まず二重周波数誘導加熱に対する従来の方式と二重共振結合回路を用いる新しい方式の比較,並びに新方式に適用するための二重周波数直列インバータ(DFSI)の構成と動作の詳細を紹介し,続いて10kz/100kHz-10kWDFSI用素子としてSiおよびSiC MOSFETを適用した場合の発生損失に対する詳細な比較検討結果,並びに試作試験結果を紹介した。本文で紹介したDFSI方式が円筒表面の誘導加熱による均一な表面硬化処理に対する設備費用および加工時間の両面から見た最適の方式であり,またスイッチング素子にSiC-MOSFETを適用することによって大幅な効率向上を実現できることが試作試験結果で確認された。

シソーラス用語： *インバータ ,  *ブリッジ回路 ,  周波数 ,  *誘導加熱 ,  *ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  グロープラグ ,  スイッチング素子 ,  二重共鳴 ,  結合回路 ,  表面硬化
準シソーラス用語： *二重周波数

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  加熱  (PA03040C)

タイトルに関連する用語 (8件)： インバータ ,  ブリッジ ,  二重周波数 ,  誘導加熱 ,  Si ,  SiC ,  MOSFET ,  比較検討